產(chǎn)品型號

生長納米線 CVD 爐 OTF-1200X-4-NW

安裝條件

本設備要求在海拔 1000m 以下， 溫度 25℃±15℃ ，濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。

1、水：不需要

2、電： AC220V 50Hz，必須有良好接地

3、氣：設備腔室內需充注氣體，需自備氣瓶氣源

4、工作臺： 尺寸 1600mm×600mm×700mm ，承重 150kg 以上

5、通風裝置：需要

主要特點

1 、由 OTF-1200X-4 單溫區(qū)爐演變而來的緊湊型 CVD 爐。

2 、內爐膛表面涂有進口高溫氧化鋁涂層，可以提高設備的加熱效率及延長儀器的使用壽命。

3 、帶樣品支架的右法蘭是滑動的，方便樣品的快速取放。

4 、左側的小加熱器可對輸入 CVD 爐的氣體、液體、固體或混合物進行預加熱，不銹鋼加熱腔 外徑 30mm 、長 150mm ，工作溫度 600℃。

5 、左邊法蘭（在加熱器與 CVD 爐之間） 裝有 4 個 1/4″卡套連結的通氣管，具有密封和氣體通 道的作用。

6 、PID 自整定數(shù)字控制器 ，可以設置 30 段升降溫程序。

7、選配相關軟件可用計算機進行控溫。

8 、已通過 CE 認證。

技術參數(shù)

1 、額定電壓： 單相 AC 220V    50Hz/60Hz

2、額定功率： 3KW（需 20A 的空氣開關）

3、石英管： 外管外徑 ?110mm ，內徑 ?102mm ，長 381mm

4、加熱區(qū)域： CVD 爐 400mm ，加熱器 150mm

5 、工作溫度： CVD 爐 1100℃（<2h），連續(xù)工作 200℃-1000℃， 升降溫速率 10℃ /min；

加熱器連續(xù)工作 0-500℃， 升降溫速率 10℃/min

6 、控溫精度：±1℃

7、熱電偶： K 型

8、右法蘭：一個 3″石英樣品支架， 與石英擋板、法蘭連成一體， 設有 KF25 真空快接口， 以 及水冷接口（可選配水冷機， 避免 O 型圈融化）

9、左法蘭： 有 2 個獨立 1/4″口，可單獨將任何氣體通入爐內，一路 1/4″口將預熱氣體通入 CVD 爐，一路 1/4″口將不加熱的氣體通入爐內，并通過爐內的 T 型結構與加熱氣體匯合

產(chǎn)品規(guī)格

尺寸： 1200mm×450mm×510mm；重量： 100kg

可選配件

1、水冷機

2、控溫軟件