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描述:產(chǎn)品簡(jiǎn)介:VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等
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265產(chǎn)品簡(jiǎn)介: VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備,可用于制備單 層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀配備有兩個(gè)靶槍,一個(gè)弱磁靶用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜,一個(gè)強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn),且可使用的材料范圍廣,是一款實(shí)驗(yàn)室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。
產(chǎn)品型號(hào) | VTC-600-2HD 雙靶磁控濺射儀 |
產(chǎn)品型號(hào) | VTC-600-2HD |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。
1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水) 2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣(純度 99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶 Ø6mm 雙 卡套接頭)及減壓閥 4、工作臺(tái): 尺寸 1500mm×600mm×700mm ,承重 200kg 以上 5、通風(fēng)裝置:需要 |
主要特點(diǎn) | 1 、配置兩個(gè)靶槍,一個(gè)配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,一個(gè)配套直流電源用于導(dǎo) 電性材料的濺射鍍膜。 |
| 2、可制備多種薄膜,應(yīng)用廣泛。 3、體積小,操作簡(jiǎn)便。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、電源電壓: 220V 50Hz 2、功率: <2KW (不含真空泵) 3、極限真空度: 9.0×10-4Pa 4、樣品臺(tái)加熱溫度: RT-500℃,精度±1℃(可根據(jù)實(shí)際需要提升溫度) 5、靶槍數(shù)量: 2 個(gè)(可選配其他數(shù)量) 6、靶槍冷卻方式:水冷 7、靶材尺寸: Ø2″, 厚度 0.1-5mm (因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同) | ||
| 8 、直流濺射功率: 500W;射頻濺射功率: 300W。(靶電源種類可選,可選擇兩個(gè)直流電源, 也可選擇兩個(gè)射頻電源,或選則一個(gè)直流一個(gè)射頻電源) 9、載樣臺(tái): Ø140mm 10、載樣臺(tái)轉(zhuǎn)速: 1rpm-20rpm 內(nèi)可調(diào) 11、工作氣體: Ar 等惰性氣體 12、進(jìn)氣氣路: 質(zhì)量流量計(jì)控制 2 路進(jìn)氣,一路為 100SCCM ,另一路 為 200SCCM。 | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 1 、主機(jī)尺寸: 500mm ×560mm×660mm 2 、整機(jī)尺寸: 1300mm ×660mm×1200mm 3、重量: 160kg 4、真空室規(guī)格:φ 300×300mm | ||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 直流電源控制系統(tǒng) | 1 套 |
2 | 射頻電源控制系統(tǒng) | 1 套 | |
3 | 膜厚監(jiān)測(cè)儀系統(tǒng) | 1 套 | |
4 | 分子泵(德國(guó)進(jìn)口) | 1 臺(tái) | |
5 | 冷水機(jī) | 1 臺(tái) | |
6 | 冷卻水管(Ø6mm) | 4 根 |
可選配件 | 金、銦、銀、白金等各種靶材 |
直流濺射,又稱陰極濺射或二極濺射
濺射條件: 工作氣壓 10pa 左右, 濺射電壓 3000V ,靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1m/min。
工作原理: 先讓惰性氣體(通常為 Ar 氣) 產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子; 帶電離子緊電場(chǎng)加速撞擊靶 材表面, 使靶材原子被轟擊而飛出來, 同時(shí)產(chǎn)生二次電子, 再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子; 靶材原子攜帶著足夠的動(dòng)能到達(dá)被鍍物(襯底) 的表面進(jìn)行沉積。隨著氣壓的變化, 濺射法薄膜沉積速率 將出現(xiàn)一個(gè)極大值, 但氣壓很低的條件下, 電子的自由程較長(zhǎng), 電子在陰極上消失的幾率較大, 通過碰撞 過程引起氣體分子電離的幾率較低, 離子在陽極上濺射的同時(shí)發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相 對(duì)較小, 這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率很低。 在壓力 1Pa 時(shí)甚至不易維持自持放電! 隨著氣壓的升 高,電子的平均自由程減小,原子的電離幾率增加,濺射電流增加,濺射速率增加。
適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如 Au,Ag,Pt等
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技 術(shù)。
工作條件: 射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進(jìn)行, 濺射電壓 1000V ,靶電流密度 1.0 mA/cm2,薄膜沉積 速率 0.5m/min。
工作原理: 人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替,當(dāng)濺射靶處于正半周時(shí), 電子流向靶面, 中和其表面積累的正電荷, 并且積累電子, 使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓, 導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半 周期時(shí)吸引正離子轟擊靶材, 從而實(shí)現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大, 遷移率小, 不像電子那樣很快地向 靶表面集中, 所以靶表面的點(diǎn)位上升緩慢, 由于在靶上會(huì)形成負(fù)偏壓, 所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體 靶。在射頻濺射裝置中, 等離子體中的電子容易在射頻場(chǎng)中吸收能量并在電場(chǎng)內(nèi)振蕩, 因此, 電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大,故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。
優(yōu)點(diǎn):
1、可在低氣壓下進(jìn)行,濺射速率高。
2、不僅可濺射金屬靶,也可濺射絕緣靶,可以把導(dǎo)體,半導(dǎo)體,絕緣體中的任意材料薄膜化。
3、必須十分注意接地問題。
適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣
層的靶材.如 Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.
我們相信好的產(chǎn)品是信譽(yù)的保證!
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